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AOB411L
Gate Charge Test Circuit & W aveform
Vgs
Qg
-10V
VDC
VDC
Vds
Qgs
Qgd
DUT
Vgs
Ig
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
t on
t off
Vgs
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Vgs
DUT
VDC
Vdd
90%
Rg
E AR = 1/2 LI AR
Vgs
Vds
Id
L
Vds
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
2
Vds
10%
Rg
Vgs
Vgs
VDC
Vdd
Id
BV DSS
Vgs
Vds +
DUT
DUT
Vgs
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vgs
I AR
Vds -
Ig
Isd
Vgs
L
VDC + Vdd
-
-Isd
-Vds
-I F
dI/dt
-I RM
t rr
Vdd
Rev 0: Mar. 2011
www.aosmd.com
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AOB412L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SDMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOB414 功能描述:MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SDMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOB414_001 功能描述:MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.6A（Ta），51A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak） 标准包装:1
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